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什么是集成電路設(shè)計?我國集成電路設(shè)計行業(yè)市場規(guī)模及競爭格局分析

2022-06-13
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集成電路設(shè)計(Integrated circuit design,IC design),亦可稱之為超大規(guī)模集成電路設(shè)計(VLSI design),是指以集成電路、超大規(guī)模集成電路為目標(biāo)的設(shè)計流程。

1、上半年中國集成電路設(shè)計行業(yè)銷售額達到1766.4億元

近些年來,在國家政策扶持以及市場應(yīng)用帶動下,中國集成電路產(chǎn)業(yè)保持快速增長,繼續(xù)保持增速全球領(lǐng)先的勢頭。受此帶動,在國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中,集成電路設(shè)計業(yè)始終是國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)中最具發(fā)展活力的領(lǐng)域,增長也最為迅速。
從產(chǎn)業(yè)總體發(fā)展情況來看,集成電路快速增長帶動集成電路設(shè)計業(yè)增長。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計2020年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為8848億元,同比增長17%。其中,設(shè)計業(yè)銷售額達到3778.4億元,同比增長23.3%。
2021年上半年,中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達到4102.9億元,同比增長15.9%。其中,設(shè)計業(yè)銷售額達到1766.4億元,同比增長18.5%。

2、中國芯片設(shè)計企業(yè)數(shù)量增長迅速,主要分布在北京、上海、廣東

隨著《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》發(fā)布和其他一系列鼓勵政策的頒布,集成電路設(shè)計行業(yè)成為目前中國集成電路產(chǎn)業(yè)中競爭最為激烈的領(lǐng)域。自2015年來,各地政府采取各種優(yōu)惠措施吸引國內(nèi)成熟的設(shè)計企業(yè)在異地開設(shè)分支機構(gòu),根據(jù)統(tǒng)計,2020年國內(nèi)的芯片設(shè)計企業(yè)達到了2218家,比2019年的1780家多了438家,數(shù)量增長了24.6%。
從企業(yè)的區(qū)域分布來看,集成電路設(shè)計企業(yè)主要分布在北京、上海和廣東地區(qū)。2020年除了北京、上海、深圳等傳統(tǒng)設(shè)計企業(yè)聚集地外,無錫、杭州、西安、成都、南京武漢、蘇州、合肥、廈門等城市的設(shè)計企業(yè)數(shù)量都超過100家。

3、中國集成電路設(shè)計行業(yè)前十集中度接近50%,海思半導(dǎo)體國內(nèi)領(lǐng)先

目前,我國主要的IC設(shè)計企業(yè)分別為華為海思半導(dǎo)體、紫光展銳、韋爾股份(韋爾+豪威+思比科)、北京智芯微、比特大陸、華大半導(dǎo)體、中興微電子、匯頂科技、士蘭微、北京硅成、格科微等相關(guān)企業(yè)。
根據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會集成電路設(shè)計分會2019年11月公布的《2019年中國十大芯片設(shè)計廠商(未統(tǒng)計港澳臺地區(qū))的營收數(shù)據(jù)預(yù)測報告》顯示,2019年中國前十大集成電路設(shè)計企業(yè)的總銷售約1558.0億元,占全行業(yè)產(chǎn)業(yè)規(guī)模比例的50.1%,而2018年同期為40.21%。

集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)集中度逐步提高,扭轉(zhuǎn)了之前“小、散、弱”的局面。2019年三家******通信芯片企業(yè)的銷售之和超過1000億元,占通信芯片領(lǐng)域銷售額的88.7%。進入2019年前十大設(shè)計企業(yè)榜單銷售收入的門檻提高到48億元,比2018年的30億元,大幅提高了18億元。

根據(jù)2020年12月中國半導(dǎo)體年會公布預(yù)測,2020年前十大企業(yè)營收占比約為48.90%,較2019年略微下降。

根據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會已公布的2019年國內(nèi)十大IC設(shè)計企業(yè),排名首依次是華為海思半導(dǎo)體,豪威集團、智芯微電子、中興微電子、紫光展銳、華大半導(dǎo)體、匯頂科技、格科微、士蘭微、兆易創(chuàng)新。2020年,收購了豪威科技的韋爾股份、高營收的比特大陸等企業(yè)也有望競爭榜中。

以上數(shù)據(jù)及分析均來自于前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國集成電路行業(yè)市場需求預(yù)測與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報告》,同時前瞻產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)研究、產(chǎn)業(yè)鏈咨詢、產(chǎn)業(yè)圖譜、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資、IPO募投可研、招股說明書撰寫等解決方案。

延伸知識點:什么是集成電路?

集成電路(英語:integrated circuit,縮寫作 IC),或稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在電子學(xué)中是一種把電路(主要包括半導(dǎo)體設(shè)備,也包括被動組件等)小型化的方式,并時常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。

*********的集成電路是微處理器或多核處理器的核心,可以控制計算機到手機到數(shù)字微波爐的一切。存儲器和特定應(yīng)用集成電路是其他集成電路家族的例子,對于現(xiàn)代信息社會非常重要。雖然設(shè)計開發(fā)一個復(fù)雜集成電路的成本非常高,但是當(dāng)分散到通常以百萬計的產(chǎn)品上,每個集成電路的成本最小化。集成電路的性能很高,因為小尺寸帶來短路徑,使得低功率邏輯電路可以在快速開關(guān)速度應(yīng)用。這些年來,集成電路持續(xù)向更小的外型尺寸發(fā)展,使得每個芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量,可以降低成本和增加功能-見摩爾定律,集成電路中的晶體管數(shù)量,每1.5年增加一倍??傊?,隨著外形尺寸縮小,幾乎所有的指標(biāo)改善了-單位成本和開關(guān)功率消耗下降,速度提高。但是,集成納米級別設(shè)備的IC不是沒有問題,主要是泄漏電流。因此,對于最終用戶的速度和功率消耗增加非常明顯,制造商面臨使用更好幾何學(xué)的尖銳挑戰(zhàn)。這個過程和在未來幾年所期望的進步,在半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖中有很好的描述。

集成電路制造:

從1930年代開始,元素周期表中的化學(xué)元素中的半導(dǎo)體被研究者如貝爾實驗室的威廉·肖克利(William Shockley)認(rèn)為是固態(tài)真空管的最可能的原料。從氧化銅到鍺,再到硅,原料在1940到1950年代被系統(tǒng)的研究。今天,盡管元素中期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應(yīng)用于特殊用途如:發(fā)光二極管、激光、太陽能電池和最高速集成電路,單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時間。
半導(dǎo)體集成電路工藝,包括以下步驟,并重復(fù)使用:

1. 光刻;

2. 刻蝕;

3. 薄膜(化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積);

4. 摻雜(熱擴散或離子注入);

5. 化學(xué)機械平坦化CMP。

使用單晶硅晶圓(或III-V族,如砷化鎵)用作基層,然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件,再利用薄膜和CMP技術(shù)制成導(dǎo)線,如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量,導(dǎo)線可分為鋁工藝(以濺鍍?yōu)橹鳎┖豌~工藝(以電鍍?yōu)橹鲄⒁奃amascene)。主要的工藝技術(shù)可以分為以下幾大類:黃光微影、刻蝕、擴散、薄膜、平坦化制成、金屬化制成。

IC由很多重疊的層組成,每層由影像技術(shù)定義,通常用不同的顏色表示。一些層標(biāo)明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層(成為擴散層),一些定義哪里額外的離子灌輸(灌輸層),一些定義導(dǎo)體(多晶硅或金屬層),一些定義傳導(dǎo)層之間的連接(過孔或接觸層)。所有的組件由這些層的特定組合構(gòu)成。

1. 在一個自排列(CMOS)過程中,所有門層(多晶硅或金屬)穿過擴散層的地方形成晶體管。

2. 電阻結(jié)構(gòu),電阻結(jié)構(gòu)的長寬比,結(jié)合表面電阻系數(shù),決定電阻。

3. 電容結(jié)構(gòu),由于尺寸限制,在IC上只能產(chǎn)生很小的電容。

4. 更為少見的電感結(jié)構(gòu),可以制作芯片載電感或由回旋器模擬。

因為CMOS設(shè)備只引導(dǎo)電流在邏輯門之間轉(zhuǎn)換,CMOS設(shè)備比雙極型組件(如雙極性晶體管)消耗的電流少很多,也是現(xiàn)在主流的組件。透過電路的設(shè)計,將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上,就可以畫出不同作用的集成電路。

隨機存取存儲器是最常見類型的集成電路,所以密度最高的設(shè)備是存儲器,但即使是微處理器上也有存儲器。盡管結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜-幾十年來芯片寬度一直減少-但集成電路的層依然比寬度薄很多。組件層的制作非常像照相過程。雖然可見光譜中的光波不能用來曝光組件層,因為他們太大了。高頻光子(通常是紫外線)被用來創(chuàng)造每層的圖案。因為每個特征都非常小,對于一個正在調(diào)試制造過程的過程工程師來說,電子顯微鏡是必要工具。

在使用自動測試設(shè)備(ATE)包裝前,每個設(shè)備都要進行測試。測試過程稱為晶圓測試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊,每個被稱為晶片(“die”)。每個好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線,連接到封裝內(nèi),pads通常在die的邊上。封裝之后,設(shè)備在晶圓探通中使用的相同或相似的ATE上進行終檢。測試成本可以達到低成本產(chǎn)品的制造成本的25%,但是對于低產(chǎn)出,大型和/或高成本的設(shè)備,可以忽略不計。

在2005年,一個制造廠(通常稱為半導(dǎo)體工廠,常簡稱fab,指fabrication facility)建設(shè)費用要超過10億美元,因為大部分操作是自動化的。

源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、搜狗百科

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